东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
中国上海，2023年6月13日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。
通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%，漏源导通电阻×栅漏电荷（MOSFET性能的品质因数）降低了约52%。这有助于确保该系列产品实现导通损耗和开关损耗的双重降低，并最终实现了开关电源效率的提高。
该新产品采用TOLL封装，栅极驱动采用开尔文连接。可以通过降低封装中源极线电感的影响，增强MOSFET的高速开关性能，从而抑制开关过程中的振荡。
未来，东芝将继续扩展600V DTMOSVI系列产品线，以及已发布的650V DTMOSVI系列产品，并通过降低开关电源的功率损耗来达到节约节能的目的。
图1：漏极-源极导通电阻与栅漏电荷比较
应用
- 数据中心（服务器开关电源等）
- 光伏发电机功率调节器
- 不间断电源系统
特性
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷，有助于提高开关电源的效率
主要规格
（除非另有说明，Ta＝25℃）
| 器件型号 | TK055U60Z1 | |||
|
绝对****** 值 |
漏极-源极电压VDSS（V） | 600 | ||
| 漏极电流（DC）ID（A） | 40 | |||
| 结温Tch（℃） | 150 | |||
| 电气特性 |
漏极-源极导通电阻 RDS(ON)（mΩ） |
VGS＝10V | ******值 | 55 |
| 总栅极电荷Qg（nC） | 典型值 | 65 | ||
| 栅极-漏极电荷Qgd（nC） | 典型值 | 15 | ||
| 输入电容Ciss（pF） | 典型值 | 3680 | ||
| 封装 | 名称 | TOLL | ||
| 尺寸（mm） | 典型值 |
9.9×11.68 厚度＝2.3 |
||
| 库存查询与购买 | 在线购买 | |||
注：
[1] 截至2023年6月
如需了解有关该新产品的更多信息，请访问以下网址：
TK055U60Z1
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK055U60Z1.html
如需了解东芝MOSFET产品的更多信息，请访问以下网址：
MOSFET
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html
如需了解有关该新产品在线分销商网站的供货情况，请访问以下网址：
TK055U60Z1
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TK055U60Z1.html
*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有变更，恕不另行通知。
